硅片清洗的一般程序

吸附在硅片表面上的杂质可分为分子型、离子型和原子型三种情况。其中分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，清除这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点，对于清除离子型和原子型杂质具有
掩蔽作用。因此在对硅片进行化学清洗时，首先应该把它们清除干净。
　　离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强。在一般情况下，原子型吸附杂质的量较小，因此在化学清洗时，先清除掉离子型吸附杂质，然后再清除残存的离子型杂质及原子型杂质。最后用高纯去离子水将硅片冲冼干净，再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的硅片。
　　综上所述，清洗硅片的一般工艺流程为：去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗。
　　另外，为去除硅片表面的氧化层，常要增加一个稀氢氟酸浸泡工艺。